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化学机械抛光液—— 一站式解决方案 化学机械抛光是集成电路芯片制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，化学机械抛光液是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料。根据抛光对象不同，公司化学机械抛光液包括铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液和用于新材料新工艺的抛光液等产品。目前公司铜及铜阻挡层系列化学机械抛光液，可以满足国内芯片制造商的需求，并已在海外市场实现突破；其他系列化学机械抛光液已供应国内外多家芯片制造商，具体生产规模会根据客户需求量进行调节。
铜及铜阻挡层化学机械抛光液
钨化学机械抛光液
介电材料化学机械抛光液
基于二氧化铈磨料的抛光液
衬底化学机械抛光液
用于新材料新工艺的化学机械抛光液
化学机械抛光液—— 一站式解决方案 化学机械抛光是集成电路芯片制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，化学机械抛光液是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料。根据抛光对象不同，公司化学机械抛光液包括铜及铜阻挡层抛光液、介电材料抛光液、钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液、衬底抛光液和用于新材料新工艺的抛光液等产品。目前公司铜及铜阻挡层系列化学机械抛光液，可以满足国内芯片制造商的需求，并已在海外市场实现突破；其他系列化学机械抛光液已供应国内外多家芯片制造商，具体生产规模会根据客户需求量进行调节。
功能性湿电子化学品——先进技术领导者 功能性湿电子化学品是指通过配方技术达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类湿电子化学品。目前，公司功能性湿电子化学品主要包括刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗液、刻蚀液和电镀液系列产品。刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗液已经广泛应用于8英寸、12英寸晶圆的集成电路制造领域。
刻蚀后清洗液
1.铝制程刻蚀后清洗液
2.铜大马士革工艺刻蚀后清洗液
3.硬掩模铜大马士革工艺刻蚀后清洗液
光刻胶剥离液
抛光清洗液
1.铜化学机械抛光后的清洗
2.钨化学机械抛光后的清洗
3.铝化学机械抛光后的清洗液
4.氮化硅化学机械抛光后的清洗
5.用于新材料化学机械抛光后的清洗
6.抛光垫清洗液
刻蚀液
电镀液
功能性湿电子化学品——先进技术领导者 功能性湿电子化学品是指通过配方技术达到特殊功能、满足制造中特殊工艺需求的配方类湿电子化学品。目前，公司功能性湿电子化学品主要包括刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗液、刻蚀液和电镀液系列产品。刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗液已经广泛应用于8英寸、12英寸晶圆的集成电路制造领域。
凭借羟胺供应商供应安全解决方案，提供半水性铝制程刻蚀后清洗液及胺基铝制程刻蚀后清洗液。
产品应用于集成电路铝制程工艺金属线、通孔及金属焊盘（pad）蚀刻残留物去除，提供优异的蚀刻残留物去除能力、低成本。产品已在8英寸及12英寸逻辑芯片、存储芯片等领域量产。
应用于集成电路铜互连大马士革工艺蚀刻残留物去除。产品具有优异的蚀刻残留物去除能力、低缺陷、低成本。
应用于集成电路硬掩模铜互连大马士革工艺蚀刻残留物去除。产品提供高氮化钛硬掩模去除能力、优异的蚀刻残留物去除能力、低缺陷、低成本。产品已经在28nm逻辑芯片量产，并在28nm及以下技术节点持续验证。
有效去除铜抛光后表面颗粒和化学物残留，防止铜表面腐蚀，降低抛光后晶圆表面缺陷。产品可适用于130-28nm的铜制程抛光后清洗。
有效去除钨抛光后表面颗粒和化学物残留，防止钨表面腐蚀，降低抛光后晶圆表面缺陷。
有效去除铝抛光后表面颗粒和化学物残留，防止铝表面腐蚀，降低抛光后晶圆表面缺陷。
有效去除氮化硅抛光后表面颗粒和化学物残留，降低抛光后晶圆表面缺陷。
用于新材料抛光后的清洗，降低抛光后晶圆表面缺陷。
有效去除抛光垫上的抛光副产物，延长抛光垫的使用寿命，降低抛光后晶圆表面缺陷。