CMPスラリー
全製品のマトリクス

CMP研磨は集積回路チップの製造過程でウェハー全体の均一平坦化を実現する重要なプロセスであり、CMPスラリーはCMP研磨工程で使用される主要な化学材料です。研磨対象によって異なり、当社のCMPスラリーは銅と銅バリア用スラリー、誘電体材料スラリー、タングステンスラリー、酸化セリウム研磨材をベースとした研磨スラリー、基板スラリーと新材料新プロセス用スラリーなどの製品が含まれています。現在、銅と銅バリアシリーズのCMPスラリーは、中国国内半導体メーカーのニーズを満たすことができ、すでに海外市場でも突破を実現しています。他のシリーズのCMPスラリーは既に国内外の多くの半導体メーカーに供給しており、生産規模は顧客の需要に応じて調整可能です。

銅及び銅バリア用CMPスラリー
集積回路の製造プロセスにおける銅の相互接続部分を平坦化するために、ロジック半導体やメモリ半導体などの製造プロセスで製品が量産採用されています。また、次世代技術ノード向け製品の継続的な研究開発および検証を行います。
タングステンCMPスラリー
集積回路製造プロセスにおける金属タングステンの除去と平坦化に用いられるタングステンスラリーは現在、メモリ半導体やロジック半導体の分野での応用範囲と市場シェアが着実に拡大し続けており、当社は業界をリードする顧客の先端プロセスに追随し、技術プラットフォームの先行的な整備および技術力の蓄積を進め、複数のタングステンスラリーは先端プロセスで評価承認を取得済み、順調に量産化を実現しました。
誘電体材料CMPスラリー
集積回路製造プロセスにおける二酸化ケイ素や窒化ケイ素などの誘電材料の除去および平坦化に使用されます。製品はロジック半導体やメモリ半導体などのプロセスで応用、量産採用されています。
セリア系スラリー 
本製品は、集積回路製造工程における浅溝分離や、二酸化ケイ素の高速除去が求められる各種研磨プロセスで使用されます。二酸化セリウムをベースとしたスラリーは、二酸化ケイ素に対する高い除去速度、高い選択比、優れた平坦化効率などの特長を有しており、顧客のニーズに応じて多様な新製品の開発が可能で、量産にも円滑に対応できます。
基板CMPスラリー
シリコン基板材料の研磨に応用され、シリコン粗研磨スラリー、シリコン仕上げ研磨スラリーなどの製品シリーズを有しています。安集は、中国国内大口径シリコンウェハーメーカーの発展と、材料の自主制御能力を構築するというトレンドを追って、顧客のニーズを十分に理解した上で、カスタマイズしてスラリー製品を開発しました。会社が開発した新型シリコンスラリーは、顧客にて順調に量産ラインへ導入されました。
新材料新プロセス用のCMPスラリー 
CMPスラリーの技術及び製品プラットフォームを基盤に、顧客の製造工程に密接に対応し、新技術や新工法向けのCMPスラリーの研究開発を行っています。これには、先進パッケージング技術に用いられるTSV貫通孔用スラリーとハイブリッド結合用スラリー、及びポリマーやカーボンなどの新材料に適したスラリーが含まれます。複数の製品がすでに量産供給しています。
機能性湿電子化学品
先端ノード対応の複数製品ラインナップ

機能性湿電子化学品とは、配合技術によって特定な機能を実現し、製造工程の特殊なニーズを満たす配合系の湿電子化学品です。現在、当社の機能性湿電子化学品には、エッチング後洗浄液、フォトレジスト剝離液、研磨後洗浄液、エッチング液シリーズの製品が主に含まれます。エッチング後洗浄液、フォトレジスト剝離液、研磨後洗浄液は、8インチ、12インチウェハーの集積回路製造に広く使われています。

エッチング後洗浄液
アルミエッチング後洗浄液
製品は集積回路アルミ工程金属線、スルーホールと金属パッドのエッチング残留物除去に適用され、優れたエッチング残留物除去能力の向上と低コストを実現します。8インチ型および12インチ型のロジック半導体やメモリ半導体などで既に量産採用されています。
銅エッチング後洗浄液
集積回路の銅の相互接続ダマシンのエッチング残留物除去に適用されます。製品は優れたエッチング残留物の除去能力、低欠陥、低コストの優位性を持っています。製品はロジック半導体の複数のプロセス技術ノード、3D NAND、DRAMなどのメモリ半導体、CISなどの特徴的なプロセスおよび2.5D/3Dプロセスで既に量産採用されています。
TiNハードマスクエッチング後洗浄液 
集積回路の28nmおよびそれ以下の先端プロセスにおけるダマシン工法で使用され、TiNハードマスクの除去やエッチング後のポリマー残渣の洗浄ソリューションを提供します。製品はすでに量産体制に入っています。
エッチング液
選択エッチング液
特殊なプロセスのニーズのに対応し、SiGe/Si/SiN/Polyなどの異なる材料の選択的なエッチングソリューションを提供します。
CMP後洗浄液
銅CMP研磨後洗浄
銅CMP後洗浄液向けに酸・アルカリ洗浄ソリューションを提供し、各技術ノードにおける銅CMP後洗浄に対応しています。研磨後残渣を効果的に除去するとともに、銅を保護することができます。製品は広く90~40nmの成熟プロセス、28nm及び以下の先端プロセスに適用され、優れた銅研磨後洗浄及び基材保護技術ソリューションを提供します。
フォトレジスト剝離液
フォトレジスト剝離液
ウェハーレベルパッケージ、MEMSなどの先進的なパッケージ分野における厚膜フォトレジスト除去に応用されています。>100ミクロンのフォトレジスト除去能力と低コストを特徴としています。製品は8インチおよび12インチのウェハーレベルパッケージ(金バンプ、はんだバンプ、ピラーバンプ)、MEMS、TSVなどのプロセスで量産採用されています。
硬化後ポリイミド(PI)除去
先進パッケージング工程に適用され、HD4100、HD8820、BL301ポリイミド硬化後洗浄ソリューションを提供しており、既に量産しています。
フラックス除去
先進パッケージング工程に適用され、錫銀バンプのリフロー後のフラックス洗浄ソリューションを提供し、製品を量産しています。
電気めっき液とその添加剤
電気めっきハイエンド製品群の戦略供給の強化

電気めっきは電解液中の金属イオンを陰極表面に電気化学的に堆積させる工程で、電気めっき液はめっき工程における重要な材料です。現在、当社は銅、ニッケル、ニッケル鉄、錫銀電気めっき液シリーズの製品を持っています。これらの製品は、集積回路製造、シリコン貫通孔(TSV)と先進パッケージングバンプ、再配線(RDL)工程などのソリューションを提供しています。6インチ、8インチ、12インチのプロセスに応用可能。

銅めっき液及び添加剤
集積回路ダマシン、シリコン貫通孔(TSV)、先進パッケージングバンプ及び再配線(RDL)工程向けで、高純度銅めっきソリューションを提供可能。本製品は先進パッケージング分野ですでに量産実績があり、集積回路ダマシン及びシリコン貫通孔(TSV)プロセスでの検証を進めています。
ニッケルめっき液
先進パッケージングのバンプ形成などの工程において、異種金属間の拡散(混ざり合い)を遮断する役割を果たす。製品が量産可能で、高純度・高延性・低応力のソリューションを提供しています。
ニッケル鉄めっき液
先進パッケージング及びMEMSホールデバイス向けの技術であり、すでに製品を量産しています。
錫銀めっき液
先進パッケージングバンププロセスなどに応用され、低速と高速の電気めっきソリューションを提供します。